量産型　単結晶育成炉
型式：ＴＨＭ-１２００-２Ｂ
＜装置概要＞
本装置は、半導体結晶育成用の熱処理炉で、試料の高精度移動機構を備え、移動速度は極めて遅く
10ｍｍ／ｄａｙ以下です。
さらに試料の回転機構をも備え、均一な結晶成長を図られる様に配慮された装置です。
　
＜装置性能＞
・使用温度：１，０００℃　　最大１，２００℃
　スーパーカンタルヒーター
　
・育成結晶サイズ：φ５０～φ８０　×１５０ｍｍ
　


・移動・回転速度 ：低速運転　０．１～１０　ｍｍ／ｄａｙ
　早送運転　　　８～２００ｍｍ／ｄａｙ
　回転速度　　　２～１５ｒｐｍ