量産型　原料調整炉
型式：ＴＨＧ-１２００-２Ｂ
＜装置概要＞
本装置は、半導体結晶育成用原材料の熱処理炉です。結晶成長のため、試料の高精度移動機構を備え
さらに石英管内の試料の温度分布・測定、リニアガイドによる試料の取り出しを可能にした生産性の
高い調整炉です。
　
＜装置性能＞
・使用温度　　　　　　：１，０００℃　　最大１，２００℃
　　　　　　　　　　　　カンタルヒーター
　
・炉内寸法　　　　　　：φ１１５×１，１００ｍｍ
　
・均熱長　　　　　　　：７００ｍｍ
　
・炉芯管　　　　　　　：石英　φ１１０×１，１００ｍｍ
　　　　　　　　　　　　石英　φ１１５×１，１００ｍｍ
　
・移動速度　　　　　　：低速運転　±０．１～５　　ｍｍ／ｈ
　　　　　　　　　　　　早送運転　±　４０～３３３ｍｍ／ｈ
　
※他、ご不明な点については、別途ご相談ください。