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<装置概要> |
本装置は、半導体結晶育成用の熱処理炉で、試料の高精度移動機構を備え、移動速度は極めて遅く |
10mm/day以下です。 |
さらに試料の回転機構をも備え、均一な結晶成長を図られる様に配慮された装置です。 |
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<装置性能> |
・使用温度 :1,000℃ 最大1,200℃ |
スーパーカンタルヒーター |
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・育成結晶サイズ :φ50~φ80 ×150mm |
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・移動・回転速度 :低速運転 0.1~10 mm/day |
早送運転 8~200mm/day |
回転速度 2~15rpm |
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※他、ご不明な点については、別途ご相談ください。 |